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Allora è semplicissimo. Per seguire ciò che dico, prendi un immagine di come è fatto un mosfet ad arricchimenti di tipo NMOS. Il drain e il source sono drogati di tipo N, il subrstrato è drogato di tipo P. Sopra il substrato c'è uno strato di ossido e poi il morsetto del gate. Ora l'ossido funziona da isolante tra 2 strati conduttori, cioè tra il gate dove applicheremo una tensione positiva e il substrato di tipo P. Questa struttura ricorda la struttura di un condensatore a facce piane parallele dove le due facce sono il gate e il substrato e il dielettrico è l'ossido. Come ben sai si accumula la carica sulle pareti, ma essa non penetra nel dielettrico, da cioè si evince che nel gate non entra corrente. Adesso la tensione positiva che applichiamo al gate fa si che le lacune del substrato P "affacciate" sull'ossido vengano respinte, perchè segni concordi si respingono; se ciò accade, in prossimità della superficie si genererà una carica negativa (assenza di cariche positive, respinte dalla tensione che abbiamo applicato sul gate). Questi elettroni creano il canale che collega elettricamente i 2 strati N di drain e source; si crea quindi un ponte di elettroni lungo la parte superiore del substrato che collega drain e source e adesso quindi può passare corrente. Infine c'è da dire che questo fenomeno accade solo se la tensione applicata sul gate è maggiore di una tensione di soglia Vt che rappresenta appunto la tensione minima per allontanare abbastanza lacune per permettere al canale di crearsi.

E' ad arricchimento perchè il canale si crea, come puoi capire da questa spiegazione; se, con varie tecniche costruttive, il canale è già creato e la tensione fa si che esso si disperda, questo si dice a svuotamento

posso provare a farti un esempio; io lo sto studiando in questo periodo ma non è molto chiaro, cmq:

se per esempio consideriamo un PMOS ad arricchimento (a canale p) questo è realizzato su un substrato di tipo n con regioni p+ per source e drain. A differenza dell’NMOS, esso utilizza lacune

come portatori di carica e inoltre vGS, vDS e Vt < 0